MOSFET型號大全 15N02 SOP-8 貼片MOS管 15A場效應管

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2021-03-16 09:30:21點擊：6次

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  MOSFET型號大全 15N02 SOP-8 貼片MOS管 15A場效應管

  
  

  
  

  MOSFET型號大全 15N02的管腳排列圖：

  

  
  

  
  

  MOSFET型號大全 15N02的特點：

  • V_DS=20V

  • I_D=15A

  • R_DS(ON)＜8mΩ@V_GS=4.5V

  • 封裝：SOP-8

  
  

  
  

  MOSFET型號大全 15N02的應用：

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  MOSFET型號大全 15N02的極限參數：

  (如無特殊要求，T_C=25℃)

  符號	參數	數值	單位
  VDSS	漏極-源極電壓	20	V
  VGSS	柵極-源極電壓	±12
  ID	漏極電流-連續 TC=25℃	15	A
  	漏極電流-連續 TC=100℃	12
  IDM	漏極電流-脈衝	45
  PD	總耗散功率 TC=25℃	31	W
  EAS	單脈衝雪崩能量	36	mJ
  IAS	雪崩電流	53.8	A
  TSTG	存儲溫度	-55~175	℃
  TJ	工作結溫	-55~175
  RθJC	結到管殼的熱阻	4.84	℃/W

  
  

  
  

  MOSFET型號大全 15N02的電特性：

  (如無特殊要求，T_j=25℃)

  符號	參數	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  V(BR)DSS	漏極-源極擊穿電壓	20	22		V
  RDS(ON)	靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=25A		6.3	8	mΩ
  	靜態漏源導通電阻 VGS=2.5V,ID=10A		8.8	13
  VGS(th)	柵極開啟電壓	0.4	0.7	1.1	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=20V，VGS=0V			1	uA
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  Qg	柵極電荷		19		nC
  Qgs	柵源電荷密度		3
  Qgd	柵漏電荷密度		6.4
  Ciss	輸入電容		1458		pF
  Coss	輸出電容		238
  Crss	反向傳輸電容		212
  td(on)	開啟延遲時間		10		ns
  tr	開啟上升時間		21
  td(off)	關斷延遲時間		39
  tf	開啟下降時間		19

  
  

  
  

  MOSFET型號大全 15N02的參數特性曲線圖：

  

  

  
  

  
  

  MOSFET型號大全 15N02的封裝外形尺寸圖：

  

  
  

  
  

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