低壓MOS管 85N03 PDFN5X6-8L 85A/30V場效應管 國產MOSFET

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2021-03-15 14:04:34點擊：6次

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  低壓MOS管 85N03 PDFN5X6-8L 85A/30V場效應管 國產(chan) MOSFET

  
  

  
  

  85A/30V場效應管 85N03的引腳配置圖：

  

  
  

  
  

  85A/30V場效應管 85N03的特點：

  • V_DS=30V

  • I_D=85A

  • R_DS(ON)＜4mΩ@V_GS=10V

  • 封裝：PDFN5X6-8L

  
  

  
  

  85A/30V場效應管 85N03的應用：

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  85A/30V場效應管 85N03的極限參數：

  (如無特殊要求，T_C=25℃)

  符號	參數	數值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	30	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續 TC=25℃	85	A
  	漏極電流-連續 TC=100℃	68
  IDM	漏極電流-脈衝	216
  PD	總耗散功率 TC=25℃	45	W
  	總耗散功率 TA=25℃	5
  EAS	單脈衝雪崩能量	650	mJ
  IAS	雪崩電流	53.8	A
  TSTG	存儲溫度	-55~175	℃
  TJ	工作結溫	-55~175
  RθJA	結到環境的熱阻	62	℃/W
  RθJC	結到管殼的熱阻	2.8

  
  

  
  

  85A/30V場效應管 85N03的電特性：
  

  (如無特殊要求，T_j=25℃)

  符號	參數	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	30	33		V
  RDS(ON)	靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=30A		2.3	4	mΩ
  	靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=15A		4.3	6
  VGS(th)	柵極開啟電壓	1.2	1.6	2.5	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=24V，VGS=0V,TJ=25℃			1	uA
  	零柵壓漏極電流 VDS=24V，VGS=0V,TJ=55℃			5
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  gfs	正向跨導	20.08	26.5		S
  Qg	柵極電荷		70		nC
  Qgs	柵源電荷密度		12
  Qgd	柵漏電荷密度		17
  Ciss	輸入電容		3500		pF
  Coss	輸出電容		386
  Crss	反向傳輸電容		358
  td(on)	開啟延遲時間		11		ns
  tr	開啟上升時間		120
  td(off)	關斷延遲時間		25
  tf	開啟下降時間		60

  
  

  
  

  85A/30V場效應管 85N03的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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