常用MOSFET型號 4N65 插件場效應管 高壓N溝道MOS管

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2021-03-17 15:55:36點擊：6次

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  常用MOSFET型號 4N65 插件場效應管 高壓N溝道MOS管

  
  

  
  

  常用MOSFET型號 4N65的符號圖：
  

  

  
  

  
  

  常用MOSFET型號 4N65的特點：

  • V_DS=650V

  • I_D=4A

  • R_DS(ON)＜2.4Ω@V_GS=10V

  • 封裝：TO-220、TO-220F、TO-252、TO-251
    

  
  

  
  

  常用MOSFET型號 4N65的應用：

  • 不間斷電源(UPS)

  • 功率因數補償(chang) (PFC)

  
  

  
  

  常用MOSFET型號 4N65的極限值：
  

  (如無特殊要求，T_C=25℃)

  符號	參數	數值	單位
  VDSS	漏極-源極電壓	650	V
  VGSS	柵極-源極電壓	±30
  ID	漏極電流-連續	4	A
  IDM	漏極電流-脈衝	16
  PD	總耗散功率 TC=25℃	36	W
  EAS	單脈衝雪崩能量	160	mJ
  EAR	重複雪崩能量	20
  IAR	雪崩電流	4	A
  TSTG	存儲溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結溫	-55~150
  RθJA	結到環境的熱阻	62.5	℃/W
  RθJC	結到管殼的熱阻	3.47

  
  

  
  

  常用MOSFET型號 4N65的電特性：

  (如無特殊要求，T_A=25℃)

  符號	參數	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  V(BR)DSS	漏極-源極擊穿電壓	650			V
  RDS(ON)	靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=2A		2	2.4	Ω
  VGS(th)	柵極開啟電壓	3		4	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=650V，VGS=0V，TJ=25℃			1	uA
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  Qg	柵極電荷		15		nC
  Qgs	柵源電荷密度		2.5
  Qgd	柵漏電荷密度		7.5
  Ciss	輸入電容		580		pF
  Coss	輸出電容		69.5
  Crss	反向傳輸電容		10.9
  td(on)	開啟延遲時間		12		ns
  tr	開啟上升時間		22
  td(off)	關斷延遲時間		50
  tf	開啟下降時間		48

  
  

  
  

  常用MOSFET型號 4N65的封裝外形尺寸：

  1、TO-252：
  

  

  
  

  
  

  2、TO-251：

  

  
  

  3、TO-220F：

  

  
  

  
  

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