淺談MOS管的高端驅動和低端驅動
本文來源:CSDN
低端驅動:MOS管相對於(yu) 負載在電勢的低端,其中D通過負載接電源,S直接接地。對於(yu) NMOS,隻有當Vgs大於(yu) 開啟電壓時,MOS管才能導通。所以當未導通時,S處於(yu) 一個(ge) 不能確定的電位。若讓Vgs大於(yu) 開啟電壓,則DS導通,S確定為(wei) 地電位,此時仍可以保證Vgs大於(yu) 開啟電壓,保持DS導通。
而對於(yu) PMOS,隻有到Vgs小於(yu) 一個(ge) 值,MOS才能導通。此時S處於(yu) 一個(ge) 不確定的電位。若讓Vgs小於(yu) 開啟電壓,即使導通了,S確定下降到地電位,就不能保證Vgs小於(yu) 開啟電壓。
高端驅動:MOS管相對於(yu) 負載在電勢的高端,其中D直接連接電源,S通過負載接地。對於(yu) NMOS,隻有當Vgs大於(yu) 開啟電壓時,MOS管才能導通。所以當未導通時,S處於(yu) 一個(ge) 不能確定的電位。即使讓Vgs大於(yu) 開啟電壓,DS導通後,DS電位相等,同為(wei) 電源電位,除非G極電位比電源電位還高,則不能保持導通狀態。
而對於(yu) PMOS,隻有到Vgs小於(yu) 一個(ge) 值,MOS才能導通。此時S處於(yu) 一個(ge) 不確定的電位。若讓Vgs小於(yu) 開啟電壓,使DS導通,DS同為(wei) 電源電位,還是能保持Vgs小於(yu) 開啟電壓,是MOS保持導通狀態。
由上可知,PMOS適合作為(wei) 高端驅動,NMOS適合作為(wei) 低端驅動。但是由於(yu) 工藝等各方麵的原因。在大電流情況下,通常仍把NMOS作為(wei) 高端驅動。於(yu) 是,為(wei) 了保證高端驅動的NMOS的Vgs保持大於(yu) 開啟電壓。我們(men) 會(hui) 使用半橋驅動芯片。半橋驅動芯片把高端驅動的NMOS的S極作為(wei) 參考地,輸出一個(ge) 恒定的開啟電壓,來控製MOS的導通。
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