電機控製器中的MOS驅動，你懂了嗎？

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2022-07-14 16:03:38點擊：6次

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  電機控製器中的MOS驅動，你懂了嗎？

  
  

  
  

          引言

   

          通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V\3.3V，IO的電流輸出能力在20MA以下，不足以直接驅動功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設計電機驅動器時，通常需要搭配外部的MOSFET驅動器，我們(men) 稱之為(wei) “預驅”。在設計汽車風機、水泵、油泵等電機驅動控製器時，使用車規MCU+車規預驅+車規N溝道功率MOSFET，可以適配不同功率、各種通信方式和各種驅動方式。

   

          控製器中的功率MOS驅動

   

  

  
  

          如上圖，三相直流無刷電機（包括BLDC和PMSM）功率級驅動電路使用6個(ge) N溝道功率MOS構成三相全橋，分為(wei) 三個(ge) 連接到電源正極（VBus）的高邊MOS和三個(ge) 連接到電源負極的低邊MOS。控製器通過控製六個(ge) MOS的通斷，完成換相，使電機按照預期轉動。電機在運轉過程中可能會(hui) 遇到堵轉而導致過流，因此MOS驅動電路需要具有保護功能，以防止燒壞控製器或電機。

   

          對於(yu) 單個(ge) NMOS來說，在開通時，需要提供瞬間大電流向MOS內(nei) 的寄生電容充電，柵源電壓（VGS）達到一定閾值後，MOS才能完全開通。在MOS開通後，還需要維持合適的柵源電壓（VGS），才可以保持開通狀態。

   

          對於(yu) 低邊MOS，其源極（S）接到電源負極，柵源電壓容易滿足，驅動較簡單。

   

          對於(yu) 高邊MOS，其源極（S）接到電機相線，其電壓是不確定的，如果需要開通，需要通過自舉(ju) 電路提供柵極電壓，驅動較複雜。

   

  

   

          一般情況下，MOS的導通內(nei) 阻都如上圖所示，隨著VGS的增大而降低，但VGS大於(yu) 10V之後，下降曲線變得平緩。為(wei) 了達到最小的導通電阻(RDSON)，VGS的取值通常為(wei) 10~15V。

  
  

  
  

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