(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體(ti) 積小、效率高、壽命長等優(you) 點。在自動控製係統中，可作為(wei) 大功率驅動器件，實現用小功率控件控製大功率設備。它在交直流電機調速係統、調功係統及隨動係統中得到了廣泛的應用。
大家使用的是單向晶閘管，也就是人們(men) 常說的普通晶閘管，它是由四層半導體(ti) 材料組成的，有三個(ge) PN結，對外有三個(ge) 電極：第一層P型半導體(ti) 引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體(ti) 引出的電極叫控製極G，第四層N型半導體(ti) 引出的電極叫陰極K。從(cong) 晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關(guan) 鍵是多了一個(ge) 控製極G，這就使它具有與(yu) 二極管完全不同的工作特性。
以矽單晶為(wei) 基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始於(yu) 1957年，因為(wei) 它的特性類似於(yu) 真空閘流管，所以國際上通稱為(wei) 矽晶體(ti) 閘流管，簡稱晶閘管T，又因為(wei) 晶閘管最初的在靜止整流方麵，所以又被稱之為(wei) 矽可控整流元件，簡稱為(wei) 可控矽SCR.
在性能上，可控矽不僅(jin) 具有單向導電性，而且還具有比矽整流元件（俗稱"死矽")更為(wei) 可貴的可控性.它隻有導通和關(guan) 斷兩(liang) 種狀態.
可控矽能以毫安級電流控製大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關(guan) 損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用.
可控矽的優(you) 點很多，例如：以小功率控製大功率，功率放大倍數高達幾十萬(wan) 倍；反應極快，在微秒級內(nei) 開通、關(guan) 斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等.
可控矽的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受幹擾而誤導通.
可控矽從(cong) 外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形.
可控矽元件的結構
不管可控矽的外形如何，它們(men) 的管芯都是由P型矽和N型矽組成的四層P1N1P2N2結構..它有三個(ge) PN結（J1、J2、J3），從(cong) J1結構的P1層引出陽極A，從(cong) N2層引出陰級K，從(cong) P2層引出控製極G，所以它是一種四層三端的半導體(ti) 器件.
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