國產(chan) 低壓MOS管 5N10 SOT89-3L 100V/5A 貼片場效應管
國產(chan) 低壓MOS管 5N10的管腳配置圖:
國產(chan) 低壓MOS管 5N10的產(chan) 品特點:
VDS=100V
ID=5A
RDS(ON)<110mΩ@VGS=10V
封裝:SOT89-3L
國產(chan) 低壓MOS管 5N10的應用領域:
鋰電充電
手機快充
國產(chan) 低壓MOS管 5N10的極限參數:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:100V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續 ID:5A
漏極電流-脈衝(chong) IDM:15A
總耗散功率 PD:3.5W
結到環境的熱阻 RθJA:85℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC:40℃/W
存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃
工作結溫 TJ:-55~150℃
國產(chan) 低壓MOS管 5N10的電特性:
(如無特殊說明,TC=25℃)
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