是可控矽整流元件的簡稱,是一種具有三個(ge) PN 結的四層結構的大功率半導體(ti) 器件,一般由兩(liang) 晶閘管反向連接而成.它的功用不僅(jin) 是整流,還可以用作無觸點開關(guan) 以快速接通或切斷電路,實現將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。
可控矽和其它半導體(ti) 器件一樣,其有體(ti) 積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優(you) 點。它的出現,使半導體(ti) 技術從(cong) 弱電領域進入了強電領域,成為(wei) 工業(ye) 、農(nong) 業(ye) 、交通運輸、軍(jun) 事科研以至商業(ye) 、民用電器等方麵爭(zheng) 相采用的元件。
晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與(yu) 電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與(yu) 控製晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控製電路
雙向晶閘管的結構與(yu) 符號。它屬於(yu) NPNP四層器件,三個(ge) 電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向導通,故除門極G以外的兩(liang) 個(ge) 電極統稱為(wei) 主端子,用T1、T2。表示,不再劃分成陽極或陰極。
其特點是,當G極和T2極相對於(yu) T1,的電壓均為(wei) 正時,T2是陽極,T1是陰極。反之,當G極和T2極相對於(yu) T1的電壓均為(wei) 負時,T1變成陽極,T2為(wei) 陰極。雙向晶閘管的伏安特性,由於(yu) 正、反向特性曲線具有對稱性,所以它可在任何一個(ge) 方向導通。
從(cong) 晶閘管的內(nei) 部分析工作過程:
晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(ge) PN結,可以把它中間的NP分成兩(liang) 部分,構成一個(ge) PNP型三極管和一個(ge) NPN型三極管的複合管.
當晶閘管承受正向陽極電壓時,為(wei) 使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。中每個(ge) 晶體(ti) 管的集電極電流同時就是另一個(ge) 晶體(ti) 管的基極電流。因此,兩(liang) 個(ge) 互相複合的晶體(ti) 管電路,當有足夠的門極電流Ig流入時,就會(hui) 形成強烈的正反饋,造成兩(liang) 晶體(ti) 管飽和導通,晶體(ti) 管飽和導通。
設PNP管和NPN管的集電極電流相應為(wei) Ic1和Ic2;發射極電流相應為(wei) Ia和Ik;電流放大係數相應為(wei) a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設流過J2結的反相漏電電流為(wei) Ic0,晶閘管的陽極電流等於(yu) 兩(liang) 管的集電極電流和漏電流的總和:
Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0
若門極電流為(wei) Ig,則晶閘管陰極電流為(wei) Ik=Ia+Ig
從(cong) 而可以得出晶閘管陽極電流為(wei) :I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2)) (1—1)
矽PNP管和矽NPN管相應的電流放大係數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化。
當晶閘管承受正向陽極電壓,而門極未受電壓的情況下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0 晶閘關(guan) 處於(yu) 正向阻斷狀態。
當晶閘管在正向陽極電壓下,從(cong) 門極G流入電流Ig,由於(yu) 足夠大的Ig流經NPN管的發射結,從(cong) 而提高起點流放大係數a2,產(chan) 生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結,並提高了PNP管的電流放大係數a1,產(chan) 生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。
當a1和a2隨發射極電流增加而(a1+a2)≈1時,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決(jue) 定。晶閘管已處於(yu) 正向導通狀態。
式(1—1)中,在晶閘管導通後,1-(a1+a2)≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續導通。晶閘管在導通後,門極已失去作用。
在晶閘管導通後,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時,由於(yu) a1和a1迅速下降,當1-(a1+a2)≈0時,晶閘管恢複阻斷狀態。
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