你知道場效應管的源極和漏極可以調換嗎？
本文來源：21ic中國電子網
關(guan) 於(yu) 場效應管的源極和漏極，你知道它們(men) 可以互換使用嗎?我們(men) 在做電路設計中三極管和MOS管做開關(guan) 用時候有什麽(me) 區別工作性質：
1、三極管用電流控製，MOS管屬於(yu) 電壓控製。
2、成本問題：三極管便宜，MOS管貴。
3、功耗問題：三極管損耗大。
4、驅動能力：MOS管常用來電源開關(guan) ，以及大電流地方開關(guan) 電路。
實際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數字電路開關(guan) 控製。
MOS管用於(yu) 高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控製電流比較敏感的地方。
一般來說低成本場合，普通應用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管
實際上說電流控製慢，電壓控製快這種理解是不對的。要真正理解得了解雙極晶體(ti) 管和MOS晶體(ti) 管的工作方式才能明白。
三極管是靠載流子的運動來工作的，以npn管射極跟隨器為(wei) 例，當基極加不加電壓時，基區和發射區組成的pn結為(wei) 阻止多子(基區為(wei) 空穴，發射區為(wei) 電子)的擴散運動，在此pn結處會(hui) 感應出由發射區指向基區的靜電場(即內(nei) 建電場)，當基極外加正電壓的指向為(wei) 基區指向發射區，當基極外加電壓產(chan) 生的電場大於(yu) 內(nei) 建電場時，基區的載流子(電子)才有可能從(cong) 基區流向發射區，此電壓的最小值即pn結的正向導通電壓(工程上一般認為(wei) 0.7v)。
但此時每個(ge) pn結的兩(liang) 側(ce) 都會(hui) 有電荷存在，此時如果集電極-發射極加正電壓，在電場作用下，發射區的電子往基區運動(實際上都是電子的反方向運動)，由於(yu) 基區寬度很小，電子很容易越過基區到達集電區，並與(yu) 此處的PN的空穴複合(靠近集電極)，為(wei) 維持平衡，在正電場的作用下集電區的電子加速外集電極運動，而空穴則為(wei) pn結處運動，此過程類似一個(ge) 雪崩過程。集電極的電子通過電源回到發射極，這就是晶體(ti) 管的工作原理。
三極管工作時，兩(liang) 個(ge) pn結都會(hui) 感應出電荷，當做開關(guan) 管處於(yu) 導通狀態時，三極管處於(yu) 飽和狀態，如果這時三極管截至，pn結感應的電荷要恢複到平衡狀態，這個(ge) 過程需要時間。而MOS三極管工作方式不同，沒有這個(ge) 恢複時間，因此可以用作高速開關(guan) 管。
(1)場效應管是電壓控製元件，而晶體(ti) 管是電流控製元件。在隻允許從(cong) 信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管;而在信號電壓較低，又允許從(cong) 信號源取較多電流的條件下，應選用晶體(ti) 管。
(2)場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為(wei) 單極型器件，而晶體(ti) 管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為(wei) 雙極型器件。
(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體(ti) 管好。
(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊矽片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
(5)場效應晶體(ti) 管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(you) 點，因而也被廣泛應用於(yu) 各種電子設備中。尤其用場效管做整個(ge) 電子設備的輸入級，可以獲得一般晶體(ti) 管很難達到的性能。
(6)場效應管分成結型和絕緣柵型兩(liang) 大類，其控製原理都是一樣的。
場效應管D極與(yu) S極能否隨意互換?
場效應管可分為(wei) 結型場效應管(簡稱JFET)和絕緣柵場效應管(簡稱MOS管或MOSFET)兩(liang) 種。每種又可分為(wei) N溝道和P溝道兩(liang) 類，N溝道和P溝道場效應管工作原理相同，隻是工作電壓極性相反，這就像三極管有NPN型和PNP型之分一樣。
結型場效應管的源極S和漏極在製造工藝上是對稱的，可以互換使用。如筆者把3DJ6應用於(yu) 功效前置級，D、S極互換後，電路工作狀態並無變化。
MOS管的襯底B與(yu) 源極如果不連在一起，則D、S極可以互換，但有的MOS管由於(yu) 結構上的原因(即襯底B與(yu) 源極S連在一起)，其D、S極不能互換。作開關(guan) 管用的場效應管，一般都是功率型NMOS管，就屬於(yu) 這種特例。對於(yu) 增強型NMOS管，從(cong) 其轉移特性看，其Ugs要大於(yu) 開啟電壓(一般為(wei) 幾伏)，管子才導通。而耗盡型NMOS管盡管Ugs可以為(wei) 正、零或負值，但其Ugs=Up時(Up稱夾斷電壓，為(wei) 負的幾伏)，Id=0，管子截止，所以對於(yu) NMOS管，實際使用時，G極對地電位較低，若S極接供電(高電位)，則Ugs遠小於(yu) 0，超出管子的使用條件，必使管子擊穿損壞。
從(cong) 輸出特性看，對於(yu) 功率型NMOS管，工作時Uds》0，其漏極擊穿電壓V(br)ds很高，反之Usd很低，若S接高電位，D接低電位，則MOS管將被擊穿。
綜上所述，MOS管的D、S極不可隨便對調使用，功率型MOS管其D、S極絕不能互換。對於(yu) 功率型MOS管，D、S極間多接有保護二極管D，有的G、S間極也接有保護二極管，見圖2。用指針萬(wan) 用表R×100擋測試MOS管任意兩(liang) 腳間的正反向電阻值，有5次為(wei) ∞，一次較小，為(wei) 幾百歐，否則管子一定損壞。阻值較小的這一次，對於(yu) NMOS管紅表筆接D極、黑筆接S極;對於(yu) PMOS管，紅筆接S極、黑筆接D極，餘(yu) 下的是G極。
由此可見D、S極間接的非普通二極管，筆者試過對於(yu) 圖1結構的管子(如2SK727、2SK2828)即使用500型萬(wan) 用表的R×10k擋測，紅筆接S極、黑筆接D極，阻值仍為(wei) ∞。以上就是場效應管的源極和漏極的解析，希望能給大家幫助。
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