低內阻場效應管 4N10 國產MOS管替換 MOSFET應用領域

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2021-03-20 16:05:53點擊：6次

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  低內(nei) 阻場效應管 4N10 國產(chan) MOS管替換 MOSFET應用領域

  
  

  
  

  低內(nei) 阻場效應管 4N10的特點：

  • V_DS=100V

  • I_D=3.8A

  • R_DS(ON)＜240mΩ@V_GS=10V

  • 封裝：SOT-23-3L
    

  
  

  
  

  低內(nei) 阻場效應管 4N10的應用領域：

  • 負載開關(guan)

  • 電池保護

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  低內(nei) 阻場效應管 4N10的極限值：

  (如無特殊說明，T_C=25℃)

  • 漏極-源極電壓 V_DS：100V

  • 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

  • 漏極電流-連續 I_D：3.5A

  • 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：8A

  • 總耗散功率 P_D：3.76W

  • 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

  • 工作結溫 T_J：-55~150℃

  • 結到環境的熱阻 R_θJA：70℃/W

  • 結到管殼的熱阻 R_θJC：30℃/W
    

  
  

  
  

  低內(nei) 阻場效應管 4N10的電特性：

  (如無特殊說明，T_J=25℃)

  符號	參數	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	100			V
  RDS(ON)	靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=1A		210	240	mΩ
  	靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=0.5A		240	280
  VGS(th)	柵極開啟電壓	1	1.9	2.5	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=100V,VGS=0V,TJ=25℃			1	uA
  	零柵壓漏極電流 VDS=80V,VGS=0V,TJ=125℃			10
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  gfs	正向跨導		2.3		S
  Qg	柵極總電荷		9	18	nC
  Qgs	柵源電荷密度		2.3	4.6
  Qgd	柵漏電荷密度		1.1	2.5
  Ciss	輸入電容		152	200	pF
  Coss	輸出電容		17	20
  Crss	反向傳輸電容		10	15
  td(on)	開啟延遲時間		5.2	10	ns
  tr	開啟上升時間		6.8	12
  td(off)	關斷延遲時間		14.5	28
  tf	開啟下降時間		2.1	5

  
  

  
  

  低內(nei) 阻場效應管 4N10的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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