可控矽設計知識要點總結
本文來源:ECCN中電網
可控矽類別:
a.华体会竞猜app:門極帶阻靈敏型华体会竞猜app、門極靈敏型华体会竞猜app、標準型华体会竞猜app······
b.华体会体育沃尔夫斯堡:標準型华体会体育沃尔夫斯堡、四象限华体会体育沃尔夫斯堡、洗衣機專(zhuan) 用华体会体育沃尔夫斯堡、高結溫华体会体育沃尔夫斯堡、瞬態抑製型华体会体育沃尔夫斯堡······
c.電力電子可控矽:電力電子可控矽模塊芯片、電力電子可控矽模塊組件
可控矽等效結構:
华体会竞猜app
华体会体育沃尔夫斯堡
對於(yu) 一個(ge) 可控矽,主要看其5個(ge) 參數:
額定平均電流、維持電流、控製極觸發電壓和電流、 正向阻斷峰值電壓、反向阻斷峰值電壓
經驗教訓1:該電路能否將燈點亮?
解析:不能,由於(yu) 控製可控矽關(guan) 斷的1,3引腳沒有通路,無觸發電流
經驗教訓2:該電路負載通斷不受MOC3021控製?
解析:不受控製,對於(yu) 交流電,可以不經過MOC3021而直接流過可控矽的1,3引腳使其處於(yu) 控製極導通狀態
理解可控矽的“象限”——
1、為(wei) 何需要有“象限”這個(ge) 概念?“象限”通用命名法?(個(ge) 人認為(wei) :對於(yu) 象限概念的提出,是為(wei) 了更好地描述、理解可控矽的特性,就如同笛卡爾引入直角坐標係是為(wei) 了更好地描述二維數據)
2、如何區分不同象限可控矽?
第一象限:MT2+ Igt+
第二象限:MT2+ Igt-
第三象限:MT2 - Igt-
第四象限:MT2 - Igt+
可控矽從(cong) 導通到底關(guan) 斷的條件?
1、單獨撤去控製極電壓;
2、MT1,MT2電流小於(yu) 導通維持電流。
注意:可控矽MT1、MT2流過的電流小於(yu) 導通維持電流時,可控矽關(guan) 斷,但是單獨撤去可控矽控製極電壓時,需等到第2個(ge) 條件滿足時才會(hui) 關(guan) 斷
一個(ge) 改進型的可控矽例子
可控矽設計十條黃金規則
1.為(wei) 了導通閘流管(或华体会体育沃尔夫斯堡),必須有門極電流≧IGT ,直至負載電流達到≧IL 。這條件必須滿足,並按可能遇到的最低溫度考慮;
2.要斷開(切換)閘流管(或华体会体育沃尔夫斯堡),負載電流必須
3. 設計华体会体育沃尔夫斯堡觸發電路時,隻要有可能,就要避開3+象限(WT2-,+);
4. 為(wei) 減少雜波吸收,門極連線長度降至最低。返回線直接連至MT1(或陰極),若用硬線,用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1 間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決(jue) 辦法,選用H 係列低靈敏度华体会体育沃尔夫斯堡;
5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起問題,在MT1 和MT2 間加入RC 緩衝(chong) 電路。若高dICOM/dt 可能引起問題,加入一幾mH 的電感和負載串聯。另一種解決(jue) 辦法,采用Hi-Com 华体会体育沃尔夫斯堡;
6. 假如华体会体育沃尔夫斯堡的VDRM 在嚴(yan) 重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出,采用下列措施之一:負載上串聯電感量為(wei) 幾μH 的不飽和電感,以限製dIT/dt;用MOV 跨接於(yu) 電源,並在電源側(ce) 增加濾波電路;
7. 選用好的門極觸發電路,避開3+象限工況,可以最大限度提高华体会体育沃尔夫斯堡的dIT/dt 承受能力;
8. 若华体会体育沃尔夫斯堡的dIT/dt 有可能被超出,負載上最好串聯一個(ge) 幾μH 的無鐵芯電感或負溫度係數的熱敏電阻。另一種解決(jue) 辦法:對電阻性負載采用零電壓導通;
9. 器件固定到散熱器時,避免讓华体会体育沃尔夫斯堡受到應力。固定,然後焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(ce) 。;
10.為(wei) 了長期可靠工作,應保證Rth j-a 足夠低,維持Tj 不高於(yu) Tjmax ,其值相應於(yu) 可能的最高環境溫度。
聲明:本網站原創內(nei) 容,如需轉載,請注明出處;本網站轉載的內(nei) 容(文章、圖片、視頻)等資料版權歸原網站所有。如我們(men) 采用了您不宜公開的文章或圖片,未能及時和您確認,避免給雙方造成不必要的經濟損失,請電郵聯係我們(men) ,以便迅速采取適當處理措施;郵箱:limeijun@transql.com