低內阻MOS管 EMB03P03H EDFN5X6 貼片場效應管 MOS管03P03

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2020-12-22 14:23:33點擊：6次

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  低內(nei) 阻MOS管 EMB03P03H EDFN5X6 貼片場效應管 MOS管03P03

  
  

  
  

  低內(nei) 阻MOS管 EMB03P03H的引腳圖：

  

  
  

  
  

  低內(nei) 阻MOS管 EMB03P03H的極限參數：

  （如無特殊說明,T_A=25℃）

  參數	符號	數值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	-30	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續（TC=25℃）	ID	-85A	A
  漏極電流-連續（TC=100℃）		-65
  漏極電流-脈衝	IDM	-260
  雪崩電流	IAS	-80
  雪崩能量	EAS	320	mJ
  重複雪崩能量	EAR	160
  功耗（TC=25℃）	PD	69	W
  功耗（TC=100℃）		27
  工作結溫和存儲溫度	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  低內(nei) 阻MOS管 EMB03P03H的電特性：

  （如無特殊說明,TJ=25℃）

  參數	符號	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	-30			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-1	-1.5	-3
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 （VDS=-24V,VGS=0V）	IDSS			-1	μA
  零柵壓漏極電流 （VDS=-20V,VGS=0V，TJ=125℃）				-10
  靜態漏源導通電阻 （VGS=-10V,ID=-30A）	RDS(ON)		2.7	3.1	mΩ
  靜態漏源導通電阻 （VGS=-4.5V,ID=-30A）			4	5
  正向跨導	gfs		70		S
  輸入電容	Ciss		6400		pF
  輸出電容	Coss		913
  反向傳輸電容	Ciss		656
  柵極總電荷	Qg		96.5		nC
  柵源電荷密度	Qgs		24.8
  柵漏電荷密度	Qgd		13.8

  
  

  
  

  低內(nei) 阻MOS管 EMB03P03H的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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