國產100-8替代 微觸發可控矽 MCR100-8 TO-92 可控矽引腳圖

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2020-12-16 10:14:13點擊：6次

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  國產(chan) 100-8替代 微觸發可控矽 MCR100-8 TO-92 可控矽引腳圖

  
  

  
  

  微觸發可控矽 MCR100-8的引腳圖：

  

  
  

  
  

  微觸發可控矽 MCR100-8的應用：

         微觸發可控矽 MCR100-8應用於(yu) ：脈衝(chong) 點火器、負離子發生器、邏輯電路驅動、彩燈控製器、漏電保護器、吸塵器軟啟動等等。

  
  

  
  

  微觸發可控矽 MCR100-8的特點：

  • PNPN 四層結構的矽單向器件

  • 門極靈敏觸發

  • P 型對通擴散隔離

  • 台麵玻璃鈍化工藝

  • 背麵多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規範

  • 封裝形式：TO-92
    

  
  

  
  

  微觸發可控矽 MCR100-8的極限參數（T_CASE=25℃）：

  • 斷態重複峰值電壓 V_DRM/V_RRM ------------------------------------  600/800V

  • 通態均方根電流 I_T(RMS) ---------------------------------------------  0.8A

  • 通態平均電流 I_T(AV) -------------------------------------------------  0.5A

  • 通態不重複浪湧電流 I_TSM ------------------------------------------  8A

  • 通態電流臨(lin) 界上升率 dI_T/dt -----------------------------------------  50A/μs

  • 門極峰值電流 I_GM ---------------------------------------------------  0.2A

  • 門極峰值功率 P_GM --------------------------------------------------  0.5W

  • 門極平均功率 P_G(AV) -----------------------------------------------  0.1W

  • 存儲(chu) 溫度 T_STG ------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作結溫 T_j ----------------------------------------------------------  -40~+110℃
    

  
  

  
  

  微觸發可控矽 MCR100-8的電特性：

  符號	參數	數值	單位
  IGT	門極觸發電流	10（MIN值） 200（MAX值）	μA
  VGT	門極觸發電壓	0.8	V
  VGD	門極不觸發電壓	0.2
  IH	維持電流	3	mA
  IL	擎住電流	4
  dVD/dt	斷態電壓臨界上升率	10	V/μs
  VTM	通態壓降	1.5	V

  
  

  
  

  微觸發可控矽 MCR100-8的特性曲線圖：

  

  
  

  
  

  微觸發可控矽 MCR100-8的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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