低內阻MOS管 EMF02P02H EDFN5X6 P溝道場效應管

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2020-11-10 11:06:55點擊：6次

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  低內(nei) 阻MOS管 EMF02P02H EDFN5X6 P溝道場效應管

  
  

  
  

  低內(nei) 阻MOS管 EMF02P02H的極限值：

  參數	符號	數值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	-20	V
  柵極-源極電壓	VGS	±12
  漏極電流-連續 TC=25℃	ID	-100	A
  漏極電流-連續 TC=100℃		-73
  漏極電流-脈衝	IDM	-400
  雪崩電流	IAS	-100
  雪崩能量	EAS	500	mJ
  重複雪崩能量	EAR	250
  功耗 TC=25℃	PD	69	W
  功耗 TC=100℃		27
  工作結溫和存儲溫度範圍	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  低內(nei) 阻MOS管 EMF02P02H的引腳圖：

  

  
  

  
  

  低內(nei) 阻MOS管 EMF02P02H的電特性：

  (如無特殊說明，T_J=25℃)
  

  參數	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  柵極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	-20			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-0.4	-0.6	-1.2
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=-16V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=-12V,VGS=0V,TJ=125℃				-10
  靜態漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-20A	RDS(ON)		2.4	2.7	mΩ
  靜態漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A			2.7	3.2
  靜態漏源導通電阻 VGS=-2.5V,ID=-20A			3.4	4.1
  正向跨導	gfs		65		S
  輸入電容	Ciss		11116		pF
  輸出電容	Coss		1303
  反向傳輸電容	Crss		592
  柵源電荷密度	Qgs		18		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		16
  開啟延遲時間	td(on)		20		ns
  開啟上升時間	tr		55
  關斷延遲時間	td(off)		270
  開啟下降時間	tf		100

  
  

  
  

  低內(nei) 阻MOS管 EMF02P02H的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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