100VN溝道MOS管 EMBA0N10G SOP-8 場效應管 EMBA0N10G

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2020-10-23 15:51:58點擊：6次

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  100VN溝道MOS管 EMBA0N10G SOP-8 場效應管 EMBA0N10G

  
  

  
  

  100VN溝道MOS管 EMBA0N10G的引腳圖：
  

  

  
  

  
  

  100VN溝道MOS管 EMBA0N10G的極限：

  (如無其他說明，T_A=25℃)
  

  參數	符號	數值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	100	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續 TA=25℃	ID	5	A
  漏極電流-連續 TA=100℃		3.3
  漏極電流-脈衝	IDM	20
  雪崩電流	IAS	5
  雪崩能量	EAS	1.25	mJ
  重複雪崩能量	EAR	0.625
  功耗 TA=25℃	PD	2.5	W
  功耗 TA=100℃		1
  結溫，存儲溫度範圍	Tj，Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  100VN溝道MOS管 EMBA0N10G的電特性：
  

  (如無其他說明，T_A=25℃)

  參數	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	100			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	1	1.8	3
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=80V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=70V,VGS=0V，Tj=125℃				25
  靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=5A	RDS(ON)		90	100	mΩ
  靜態漏源導通電阻 VGS=5V,ID=3A			100	125
  正向跨導	gfs		9		S
  輸入電容	Ciss		1490		pF
  輸出電容	Coss		76
  反向傳輸電容	Crss		63
  柵源電荷密度	Qgs		3.5		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		9.2
  開啟延遲時間	td(on)		10		nS
  開啟上升時間	tr		25
  關斷延遲時間	td(off)		20
  開啟下降時間	tf		20

  
  

  
  

  100VN溝道MOS管 EMBA0N10G的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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