24C04 存儲(chu) 電路 串行I2C總線 24C04
存儲(chu) 電路 24C04的的描述:
24C04是一個(ge) 電可擦除PROM,采用512 X 8(4K bits)的組織結構以及兩(liang) 線串行接口。電壓可允許低至1.8V,待機電流和工作電流分別為(wei) 1μA和1mA。24C04具有頁寫(xie) 能力,每頁為(wei) 16字節。24C04具有DIP-8和SOP-8 兩(liang) 種封裝形式。
存儲(chu) 結構:
器件 | 總容量(位) | 總頁數 | 字節/頁 | 字地址長度 |
24C04 | 4K | 32 | 16 | 9位 |
存儲(chu) 電路 24C04的特點:
寬範圍的工作電壓 1.8V~5.5V
低電壓技術
1mA典型工作電流
1μA典型待機電流
存儲(chu) 器組織結構:512 X 8(4K bits)
2線串行接口,完全兼容I2C總線
I2C時鍾頻率為(wei) 1MHz(5V),400kHz(1.8V、2.5V、2.7V)
施密特觸發輸入噪聲抑製
硬件數據寫(xie) 保護
內(nei) 部寫(xie) 周期(最大5ms)
可按字節寫(xie)
頁寫(xie) :16字節頁
可按字節,隨機和序列讀
自動遞增地址
ESD保護大於(yu) 2.5kV
高可靠性
擦寫(xie) 壽命:100萬(wan) 次
數據保持時間:100年
封裝形式:DIP-8、SOP-8
無鉛工藝,符合 RoHS 標準
存儲(chu) 電路 24C04的極限值:
參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
直流供電電壓 | VCC | -0.3~+6.5 | V |
直流輸入電壓 | VIN | -0.3~VCC+0.3 | |
直流輸出電壓 | VOUT | -0.3~VCC+0.3 | |
存儲溫度 | TSTG | -65~+150 | ℃ |
ESD電壓(人體模型) | VESD | 2500 | V |
ESD電壓(機器模型) | 200 |
存儲(chu) 電路 24C04的直流電氣特性:
條件:TA=0℃~+70℃,VCC=+1.8V~+5.5V,除非另有注釋
參數 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
供電電流 | ICC | VCC=5V,100kHz 讀 | 0.4 | 1 | mA | |
VCC=5V,100kHz 寫 | 2 | 3 | ||||
待機電流 | ISB | VIN=VCC或GND | 1 | μA | ||
輸入漏電流 | ILI | VIN=VCC或GND | 3 | |||
輸出漏電流 | ILO | VOUT=VCC或GND | 0.05 | 3 | ||
輸入低電平電壓 | VIL | -0.6 | VCC x 0.3 | V | ||
輸入高電平電壓 | VIH | VCC x 0.7 | VCC+ 0.5 | |||
輸出低電平電壓 | VOL3 | VCC=5V,IOL=3mA | 0.4 | |||
VOL2 | VCC=3V,IOL=2.1mA | 0.4 | ||||
VOL1 | VCC=1.8V,IOL=0.15mA | 0.2 |
存儲(chu) 電路 24C04的引腳圖與(yu) 說明:
引腳號 | 引腳名稱 | 功能說明 |
1 | A0 | 地址輸入。A2、A1和A0是器件地址輸入引腳。 24C04使用A2和A1輸入引腳作為(wei) 硬件地址,總線上可同時級聯4個(ge) 24C04器件,A0為(wei) 空腳,可接地。 |
2 | A1 | |
3 | A2 | |
5 | SDA | 串行地址和數據輸入/輸出。SDA是雙向串行數據傳輸引腳,漏極開路,需外接上拉電阻到Vcc(典型值10kΩ。) |
6 | SCL | 串行時鍾輸入。SCL同步數據傳輸,上升沿數據寫入,下降沿數據讀出。 |
7 | WP | 寫保護。WP引腳提供硬件數據保護。當WP接地時,允許數據正常讀寫操作;當WP接Vcc時,寫保護,隻讀。 |
4 | GND | 地 |
8 | VCC | 正電源 |
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