國產達林頓管 ULN2003A 達林頓芯片

• 來源：hth体育官网登录 更新時間：2020-07-31 09:48:42點擊：6次

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  國產(chan) 達林頓管 ULN2003A 達林頓芯片

  
  

  
  

  國產(chan) 達林頓管 ULN2003A的概述：

          ULN2003AN是一個(ge) 單片高電壓、高電流的達林頓晶體(ti) 管陣列集成電路。它是由7組NPN達林頓管組成的，它的高壓輸出特性和陰極鉗位二極管可以轉換感應負載。單個(ge) 達林頓對的集電極電流是250mA。達林頓管並聯可以承受更大的電流。此電路主要應用於(yu) 繼電器驅動器，字錘驅動器，燈驅動器，顯示驅動器（LED氣體(ti) 放電），線路驅動器和邏輯驅動器。

          ULN2003AN的每組達林頓都有一個(ge) 2.7kΩ串聯電阻，可以直接和TTL或5V CMOS裝置。

  
  

  
  

  國產(chan) 達林頓管 ULN2003A的特點：

  • 250mA額定集電極電流(單個(ge) 輸出)

  • 最高工作電壓：30V

  • 輸入和各種邏輯類型兼容

  • 封裝形式：DIP-16、SOP-16
    

  
  

  
  

  國產(chan) 達林頓管 ULN2003A的邏輯示意圖：

  

  
  

  
  

  國產(chan) 達林頓管 ULN2003A的極限值：

  (除非有特殊要求，T_A=25℃)

  參數	符號	數值	單位
  集電極和發射極之間的電壓	VCE	50	V
  輸入電壓	VI	30
  集電極電流峰值	IC	250	mA
  總的發射端電流	IOK	1500
  功率消耗 Tamb=25℃	Pd	950	mW
  功率消耗 Tamb＜85℃		495
  工作溫度	Topr	-20~+85	℃
  貯存溫度	Tstg	-65~+150

  
  

  
  

  國產(chan) 達林頓管 ULN2003A的電特性：

  (除非有特殊要求，T_A=25℃)

  參數	條件	最小值	典型值	最大值	單位
  VI(ON)輸入電壓	VCE=2V,IC=200mA			2.4	V
  	VCE=2V,IC=250mA			2.7
  	VCE=2V,IC=300mA			3
  VCE(SAT)集電極-發射極飽和電壓	II=250uA,IC=100mA		0.9	1.1
  	II=350uA,IC=200mA		1	1.3
  	II=500uA,IC=350mA		1.2	1.6
  ICEX集電極切斷電流	VCE=50V,II=0			50	uA
  	VCE=50V,II=0,Tamb=70℃			100
  VF 前進鉗位電壓	IF=350mA		1.7	2	V
  II(OFF)關閉狀態輸出電流	VCE=50V,IC=500mA,Tamb=70℃	50	65		uA
  II輸入電流	VI=3.85V		0.95	1.35	mA
  IR反向鉗位電流	VR=50V			50	uA
  	VR=50V,Tamb=70℃			100
  CI輸入電容	VI=0,f=1MHz		15	25	pF
  tPLH傳播遲延時間，低電平到高電平輸出			0.25	1	us
  tPHL傳播遲延時間，高電平到低電平			0.25	1
  VOH轉換後高電平輸出	VS=50V,IO=300mA	Vs-20			mV

  
  

  
  

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