MOS管基本認識(快速入門)
本文來源:EDN電子技術設計
1、三個(ge) 極的判定
G極(gate)—柵極,不用說比較好認
S極(source)—源極,不論是P溝道還是N溝道,兩(liang) 根線相交的就是
D極(drain)—漏極,不論是P溝道還是N溝道,是單獨引線的那邊
2. N溝道與(yu) P溝道判別
箭頭指向G極的是N溝道
箭頭背向G極的是P溝道
3. 寄生二極管方向判定
不論N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的:
要麽(me) 都由S指向D,要麽(me) 都有D指向S
4. MOS開關(guan) 實現的功能
1>信號切換
2>電壓通斷
5. MOS管用作開關(guan) 時在電路中的連接方法
關(guan) 鍵點:
1>確定那一極連接輸入端,那一極連接輸出端
2>控製極電平為(wei) ?V 時MOS管導通
3>控製極電平為(wei) ?V 時MOS管截止
NMOS:D極接輸入,S極接輸出
PMOS:S極接輸入,D極接輸出
反證法加強理解
NMOS假如:S接輸入,D接輸出
由於(yu) 寄生二極管直接導通,因此S極電壓可以無條件到D極,MOS管就失去了開關(guan) 的作用
PMOS假如:D接輸入,S接輸出
同樣失去了開關(guan) 的作用
6. MOS管的開關(guan) 條件
N溝道—導通時 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)時導通
P溝道—導通時 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)時導通
總之,導通條件:|Ugs|>|Ugs(th)|
7. 相關(guan) 概念
BJT
Bipolar Junction Transistor 雙極性晶體(ti) 管,BJT是電流控製器件;
FET
Field Effect Transistor 場效應晶體(ti) 管,FET是電壓控製器件.
按結構場效應管分為(wei) :結型場效應(簡稱JFET)、絕緣柵場效應(簡稱MOSFET)
兩(liang) 大類
按溝道材料:結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩(liang) 種.
按導電方式:耗盡型與(yu) 增強型,結型場效應管均為(wei) 耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。
總的來說場效應晶體(ti) 管可分為(wei) 結場效應晶體(ti) 管和MOS場效應晶體(ti) 管,而MOS場效應
晶體(ti) 管又分為(wei) N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。
8. MOS管重要參數
①封裝
②類型(NMOS、PMOS)
③耐壓Vds(器件在斷開狀態下漏極和源極所能承受的最大的電壓)
④飽和電流Id
⑤導通阻抗Rds
⑥柵極閾值電壓Vgs(th)
9. 從(cong) MOS管實物識別管腳
無論是NMOS還是PMOS
按上圖方向擺正,中間的一腳為(wei) D,左邊為(wei) G,右邊為(wei) S。
或者這麽(me) 記:單獨的一腳為(wei) D,逆時針轉DGS。
這裏順便提一下三極管的管腳識別:同樣按照上圖方向擺正,中間一腳為(wei) C,左邊為(wei) B,右邊為(wei) E。
管腳編號
從(cong) G腳開始,逆時針123
三極管的管腳編號同樣從(cong) B腳開始,逆時針123
10. 用萬(wan) 用表辨別NNOS、PMOS
借助寄生二極管來辨別。將萬(wan) 用表檔位撥至二極管檔,紅表筆接S,黑表筆接D,有數值顯示,反過來接無數值,說明是N溝道,若情況相反是P溝道。
11. 畫一個(ge) MOS管
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