低壓mos管與(yu) 高壓mos管的區別是什麽(me) ?如何分類?
一、MOS的構造
MOS管的構造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導體(ti) 矽襯底上,用半導體(ti) 光刻、擴散工藝製作兩(liang) 個(ge) 高摻雜濃度的 N+區,並用金屬鋁引出兩(liang) 個(ge) 電極,分別作為(wei) 漏極D和源極S。然後在漏極和源極之間的P型半導體(ti) 表麵複蓋一層很薄的二氧化矽(Si02)絕緣層膜,在再這個(ge) 絕緣層膜上裝上一個(ge) 鋁電極,作為(wei) 柵極G。這就構成了一個(ge) N溝道(NPN 型)增強型MOS管。它的柵極和其它電極間是絕緣的。
同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導體(ti) 矽襯底上,用半導體(ti) 光刻、擴散工藝製作兩(liang) 個(ge) 高摻雜濃度的P+區,及上述相同的柵極製作過程,就製成為(wei) 一個(ge) P溝道(PNP型)增強型MOS管。圖1-1所示(a )、(b)分別是P溝道MOS管道結構圖和代表符號。
二、MOS管的分類
MOSFET是FET的一種(另一種是JFET),可以被製造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道4種類型,但實際應用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩(liang) 種。
MOS管的分類方法有多種分類方法:
1、 按電壓分類
可分為(wei) 中低壓mos管和高壓mos管
2、按功率分類
可分為(wei) 大功率、中功率和小功率mos管
3、 可分為(wei) 結型管和絕緣柵型
(1)、結型管(JFET):結型場效應管有兩(liang) 種結構形式,它們(men) 是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。
(2)、絕緣柵型:絕緣柵場效應管也有兩(liang) 種結構形式,它們(men) 是N溝道型和P溝道型。無論是什麽(me) 溝道,它們(men) 又分為(wei) 增強型和耗盡型兩(liang) 種。
4、按溝道分類
可分為(wei) N溝道和P溝道管(在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣)。
三、MOS管的區別
低壓mos管與(yu) 高壓mos管的區別:高壓mos管電壓在400V~1000V左右,低壓mos管在1~40V左右。
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