本文來源：電子發燒友
在小功率設計中，一般很少用到整流橋的並聯，但在某些大功率輸出的情況下，通常認為(wei) 在一個(ge) 封裝內(nei) 的兩(liang) 個(ge) 二極管是非常匹配的，是可以均分電流的，所以采用圖2的方式就可以實現整流橋的並聯了。
1、浮地驅動
在驅動電路設計中，經常會(hui) 提到MOS管需要浮地驅動，那麽(me) 什麽(me) 是浮地驅動呢？簡單的說就是MOS管的S極與(yu) 控製IC的地不是直接相連的，也就是說不是共地的。以我們(men) 常用的BUCK電路為(wei) 例，控製IC的地一般是與(yu) 輸入電源的地共地的，而MOS管的S極與(yu) 輸入電源的地之間還有一個(ge) 二極管，所以控製IC的驅動信號不能直接接到MOS管的柵極，而需要額外的驅動電路或驅動IC，比如變壓器隔離驅動或類似IR2110這樣的帶自舉(ju) 電路的驅動芯片。
2、滯環比較器
在保護電路中，為(wei) 了防止保護電路在保護點附近來回震蕩，所以一般都增加一定的滯環。
在下圖中，1M電阻就起到滯環的作用，如果沒有1M電阻，很明顯，VF電壓達到2.5V運放輸出低電平，低於(yu) 2.5V，運放輸出高電平。增加1M電阻後，在運放輸出低電平時，6腳電平為(wei) 0.7+（2.5-0.7）*1000/1010=2.48V。當VF低於(yu) 6腳電平後，7腳輸出高電平（如果運放供電15V，7腳輸出可按照14V計算）可以計算此時6腳電平為(wei) 2.5+（14-2.5）*10/1010=2.61V，如果這是一個(ge) 輸入欠壓保護電路，且VF為(wei) 100：1的取樣，則當輸入電壓高於(yu) 261V，電路正常工作，當電壓低於(yu) 248V才會(hui) 欠壓保護，這樣就增強了保護電路的抗幹擾能力。
一般經常用到滯環比較器的地方有：過欠壓保護電路、轉燈電路等。
3、誤差放大器輸出鉗位電路
設計電源中，無論是恒壓源還是恒流源，隻要是閉環控製，總少不了誤差放大器，在進入閉環之前，誤差放大器輸出電壓為(wei) 最高值，正常來說，誤差放大器供電一般在15V左右，則誤差放大器的輸出在開環的時候為(wei) 14V左右，隨著輸入信號的增加，達到穩壓（穩流）點後，誤差放大器從(cong) 最高點開始降低直到閉環需要的值，在誤差放大器輸出降低過程中，時間越常自然輸出超調越大電路越不容易進入穩定。
大家可以去看看IC內(nei) 部的誤差放大器輸出，無論IC供電電壓多少伏，誤差放大器輸出電壓的最大值應該都不會(hui) 是IC供電電壓，而是6V左右吧，不知道是不是也是基於(yu) 這個(ge) 原因。
4、雙環控製係統的切換
在設計電路中，帶有限流功能的恒壓源及帶有限壓功能的恒流源相信大家都不陌生；
正確的測試漏感的方法應該是其餘(yu) 器件先不焊，將變壓器首先焊接在PCB上，然後用粗短線將MOS管，輸出整流二極管短接，將輸出濾波電容短接，從(cong) 輸入濾波電容測量進去得到的是輸入的漏感。將輸入濾波電容短接，從(cong) 輸出濾波電容測量進入，得到的是輸出端的漏感，這樣的測試方法考慮了PCB的分布電感，更接近實際的情況。
5、MOS管的驅動
借用一個(ge) 圖，這個(ge) 圖是過欠壓、過流保護的電路，分別通過兩(liang) 個(ge) 光耦控製驅動信號，正常情況下光耦導通，MOS管導通，出現異常後光耦切斷，MOS管斷開，這個(ge) 圖至少有兩(liang) 個(ge) 明顯的錯誤，大家看看在哪裏。（R6R7為(wei) 1k，R25R26為(wei) 10k）
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