N溝道MOSFET 絕緣柵場效應管 GM7002
一、GM7002的最大額定值:
特性參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
漏極-源極電壓 | BVDSS | 60 | V |
柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
漏極電流-連續 | IDR | 115 | mA |
漏極電流-脈衝 | IDRM | 800 | mA |
二、GM7002的熱特性:
特性參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
總耗散功率 (環境溫度為(wei) 25℃) | PD | 225 | mW |
總耗散功率 (超過25℃遞減) | 1.8 | mW/℃ | |
熱阻 | RθJA | 417 | ℃/W |
結溫和存儲溫度 | Tj,Tstg | 150℃,-55~+150℃ |
三、GM7002的電特性:
(如無特殊說明,溫度為(wei) 25℃)
特性參數 | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
漏極-源極擊穿電壓 (ID=250uA,VGS=0V) | BVDSS | 60 | V | ||
柵極開啟電壓 (ID=250uA,VGS=0V) | VGS(th) | 1.0 | 2.5 | ||
漏極-源極導通電壓 (ID=50mA,VGS=5V) | VDS(ON) | 0.375 | |||
漏極-源極導通電壓 (ID=500mA,VGS=10V) | 3.75 | ||||
內(nei) 附二極管正向壓降 (ISD=200mA,VGS=0V) | VSD | 1.5 | |||
零柵壓漏極電流 (VGS=0V,VDS=BVDSS) | IDSS | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 (VGS=0V,VDS=0.8BVDSS,TA=125℃) | 500 | ||||
柵極漏電流 (VGS=±20V,VDS=0V) | IGSS | ±100 | nA | ||
靜態漏源導通電阻 (ID=50mA,VGS=5V) | RDS(ON) | 7.5 | Ω | ||
靜態漏源導通電阻 (ID=500mA,VGS=10V) | 7.5 | ||||
輸入電容 (VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz) | CISS | 50 | pF | ||
共源輸出電容 (VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz) | COSS | 25 | |||
開啟時間 (VDS=30V,ID=200mA.RGEN=25Ω) | t(on) | 20 | ns | ||
關(guan) 斷時間 (VDS=30V,ID=200mA.RGEN=25Ω) | t(off) | 40 | |||
反向恢複時間 (ISD=800mA,VGS=0V) | trr | 400 |
四、GM7002的封裝外形尺寸:
聲明:本網站原創內(nei) 容,如需轉載,請注明出處;本網站轉載的內(nei) 容(文章、圖片、視頻)等資料版權歸原網站所有。如我們(men) 采用了您不宜公開的文章或圖片,未能及時和您確認,避免給雙方造成不必要的經濟損失,請電郵聯係我們(men) ,以便迅速采取適當處理措施;郵箱:limeijun@transql.com