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中低壓功率MOS管 FIR98N08PG TO-220
中低壓功率MOS管 FIR98N08PG TO-220
產品品牌:美國福斯特
產品類型:中低壓功率MOS管
產品型號:FIR98N08PG
產品封裝:TO-220
產品標題:80VN溝道MOS管 FIR98N08PG TO-220 金屬增強型MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


80VN溝道MOS管 FIR98N08PG TO-220 金屬增強型MOSFET



FIR98N08PG的極限值:

參數符號數值單位
漏極-源極電壓VDSS
80V
柵極-源極電壓VGS±20V
漏極電流-連續ID
98A
漏極電流-連續 TC=100℃70
漏極電流-脈衝IDM520
功耗PD180W
單脈衝雪崩能量EAS800mJ
工作結溫和存儲溫度範圍TJ,Tstg
-55~175




FIR98N08PG的電特性:

參數符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V,ID=250μA8086
V
零柵壓漏極電流IDSSVDS=80V,VGS=0V

1μA
柵極漏電流
IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±100nA
柵極開啟電壓VGS(th)VDS=VGS,ID=250μA234V
靜態漏源導通電阻RDS(ON)VGS=10V,ID=40A
6.58
正向跨導gfsVDS=25V,ID=40A80

S
輸入電容CissVDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz

5500
pF
輸出電容Coss
880
反向傳輸電容Crss
190
開啟延遲時間td(on)VDD=38V,ID=40A VGS=10V,RGEN=2.5Ω

12
nS
開啟上升時間tr
150
關斷延遲時間td(off)
150
開啟下降時間tf
130
柵源電荷密度QgsVDS=60V,ID=40A,VGS=10V
35
nC
柵漏電和密度Qgd
55




FIR98N08PG的封裝外形尺寸:

blob.png



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