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中低壓功率MOS管 FIR24N20ALG TO-252
中低壓功率MOS管 FIR24N20ALG TO-252
產品品牌:美國福斯特
產品類型:中低壓功率MOS管
產品型號:FIR24N20ALG
產品封裝:TO-252
產品標題:貼片增強型場效應管 FIR24N20ALG TO-252 200V/24A 中低壓功率MOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


貼片增強型場效應管 FIR24N20ALG TO-252 200V/24A 中低壓功率MOS管



FIR24N20ALG的極限值:

參數
符號數值單位
漏極-源極電壓VDSS200V
柵極-源極電壓VGS±20V
漏極電流-連續ID24A
漏極電流-連續 TC=100℃17
漏極電流-脈衝IDM100
功耗
PD150W
單脈衝雪崩能量EAS250mJ
工作結溫和存儲溫度範圍TJ,TSTG-55~175




FIR24N20ALG的電特性:

參數
符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V,ID=250μA200220
V
零柵壓漏極電流IDSSVDS=200V,VGS=0V

1μA
柵極漏電流IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±100nA
柵極開啟電壓VGS(th)
VDS=VGS,ID=250μA1.01.52.0V
靜態漏源導通電阻RDS(ON)VGS=10V,ID=15A
6280
正向跨導gfsVDS=50V,ID=15A30

S
輸入電容CissVDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz

4180
pF
輸出電容Coss
162
反向傳輸電容Crss
73
開啟延遲時間td(on)VDD=100V,ID=15A VGS=10V,RGEN=2.5Ω
10
nS
開啟上升時間tr
18
關斷延遲時間td(off)
22
開啟下降時間tf
5
柵源電荷密度QgsVDS=100V,ID=15A,VGS=10V

19
nC
柵漏電和密度Qgd
17




FIR24N20ALG的封裝外形尺寸:

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