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中低壓功率MOS管 FIR12N15LG TO-252
中低壓功率MOS管 FIR12N15LG TO-252
產品品牌:美國福斯特
產品類型:中低壓功率MOS管
產品型號:FIR12N15LG
產品封裝:TO-252
產品標題:絕緣柵型場效應管 150V/12A中低壓功率MOSFET FIR12N15LG TO-252
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


絕緣柵型場效應管 150V/12A中低壓功率MOSFET FIR12N15LG TO-252



FIR12N15LG的極限值:

參數符號數值單位
漏極-源極電壓VDSS150V
柵極-源極電壓VGS±20V
漏極電流-連續ID12A
漏極電流-脈衝IDM50A
功耗PD55W
工作結溫和存儲溫度範圍TJ,TSTG-55~175




FIR12N15LG的電特性:

參數符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V,ID=250μA150

V
零柵壓漏極電流IDSSVDS=150V,VGS=0V

1μA
柵極漏電流IGSSVGS=±20V,VGS=0V

±100nA
柵極開啟電壓VGS(TH)VDS=VGS,ID=250μA1.522.5V
靜態漏源導通電阻RDS(ON)VGS=10V,ID=5A
130160
正向跨導gfsVDS=15V,ID=10A
15
S
輸入電容CissVDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz
900
pF
輸出電容Coss
115
反向傳輸電容Crss
70
開啟延遲時間td(on)VDD=75V,ID=1A,RL=75Ω VGS=10V,RG=6Ω

8
nS
開啟上升時間tr
10
關斷延遲時間td(off)
20
開啟下降時間tf
15
柵源電荷密度QgsVDS=75V,ID=1.5A,VGS=10V

5.5
nC
柵漏電和密度Qgd
7




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