hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 代理產品 » 福斯特半導體 » 高壓功率MOS管 » 高壓功率MOS管 FIR14N50FG TO-220F

產品分類

Product Categories
高壓功率MOS管 FIR14N50FG TO-220F
高壓功率MOS管 FIR14N50FG TO-220F
產品品牌:美國福斯特
產品類型:高壓功率MOS管
產品型號:FIR14N50FG
產品封裝:TO-220F
產品標題:FIR14N50FG TO-220F N溝道功率MOSFET 500V/13A高壓MOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


FIR14N50FG TO-220F N溝道功率MOSFET 500V/13A高壓MOS管



FIR14N50FG的引腳圖:

blob.png




FIR14N50FG的極限值:

符號參數數值單位
VDSS漏極-源極電壓500V
ID漏極電流-連續Tc=25℃13A
Tc=100℃8.5
IDM漏極電流-脈衝50
VGS
柵極-源極電壓±30V
EAS
單脈衝雪崩能量900mJ
IAR雪崩電流12.7A
PD
功耗150W
Tj最大工作結溫
150
Tstg存儲溫度-55~150
TL
最大焊接溫度300



FIR14N50FG的電特性:

符號參數測試條件最小值典型值最大值單位
BVDSS
漏極-源極擊穿電壓ID=250μA,VGS=0V500

V
IDSS零柵壓漏極電流VDS=500V,VGS=0V,Ta=25℃

1μA
VDS=400V,VGS=0V,Tj=125℃

100
VGS(TH)
柵極開啟電壓ID=250μA,VDS=VGS234V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻ID=6.5A,VGS=10V
0.40.5Ω
Ciss輸入電容VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz

2000
pF
Coss輸出電容
190
Crss反向傳輸電容
10
td(on)開啟延遲時間

ID=13A VDD=250V

VGS=10V RG=6.1Ω


20
ns
tr開啟上升時間
50
td(off)關斷延遲時間
70
tf開啟下降時間
45
Qgs柵源電荷密度ID=13A VDD=400V VGS=10V

15
nC
Qgd柵漏電荷密度
45


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: