hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 代理產品 » 福斯特半導體 » 高壓功率MOS管 » 高壓功率MOS管 FIR7N65FG-Y TO-220F

產品分類

Product Categories
高壓功率MOS管 FIR7N65FG-Y TO-220F
高壓功率MOS管 FIR7N65FG-Y TO-220F
產品品牌:美國福斯特
產品類型:高壓功率MOS管
產品型號:FIR7N65FG-Y
產品封裝:TO-220F
產品標題:FIR7N65FG-Y TO-220F 塑封插件場效應管 Y版增強型功率MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


FIR7N65FG-Y TO-220F 塑封插件場效應管 Y版增強型功率MOSFET



FIR7N65FG-Y的極限值:

參數符號數值單位
漏極-源極電壓VDSS650V
柵極-源極電壓VGS±30V
漏極電流-連續TC=25℃ID7.0A
TC=100℃4.4
漏極電流-脈衝IDM28
功耗
PD35W
雪崩能量EAS350mJ
工作溫度範圍TJ-55~+150
存儲溫度範圍Tstg-55~+150




FIR7N65FG-Y的熱阻:

參數符號數值單位
RθJC結到管殼的熱阻3.57℃/W
RθJA結到環境的熱阻120




FIR7N65FG-Y的電特性:

參數符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSS25℃,VGS=0V,ID=250μA650

V
零柵壓漏極電流IDSS25℃,VDS=650V,VGS=0V

1uA
125℃,VDS=520V,VGS=0V

10
150℃,VDS=520V,VGS=0V

100
柵極漏電流
IGSSVGS=±30V,VDS=0V

±100nA
柵極開啟電壓VGS(TH)VGS=VDS,ID=250μA2.0
4.0V
靜態漏源導通電阻RDS(ON)VGS=10V,ID=2A
1.251.5Ω
輸入電容CissVDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz
1130
pF
輸出電容Coss
93
反向傳輸電容Crss
5.5
開啟延遲時間td(on)VDD=325V,ID=4.0A,RG=10Ω

19
ns
開啟上升時間tr
21
關斷延遲時間td(off)
42
開啟下降時間tf
19
柵源電荷密度QgsVDS=520V,ID=4.0A,VGS=10V

5.1
nC
柵漏電和密度Qgd
9.5




FIR7N65FG-Y的封裝外形尺寸:

blob.png

產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: