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高壓功率MOS管 FIR7N60BPG-I TO-251
高壓功率MOS管 FIR7N60BPG-I TO-251
產品品牌:美國福斯特
產品類型:高壓功率MOS管
產品型號:FIR7N60BPG-I
產品封裝:TO-251
產品標題:I版高電壓場效應管 FIR7N60BPG-I TO-251 N溝道功率MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


I版高電壓場效應管 FIR7N60BPG-I TO-251 N溝道功率MOSFET



FIR7N60BPG-I的極限值:

參數符號數值單位
漏極-源極電壓VDS600V
柵極-源極電壓VGS±30V
漏極電流-連續TC=25℃ID
7.0A
TC=100℃4.0
極電流-脈衝IDM28A
功耗PD45W
單脈衝雪崩能量EAS489mJ
工作結溫範圍TJ-55~+150
存儲溫度範圍Tstg-55~+150




FIR7N60BPG-I的熱阻:

參數符號數值單位
結到管殼的熱阻RθJC2.77℃/W
結到環境的熱阻RθJA110




FIR7N60BPG-I的電特性:

參數符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVSS
600

V
零柵壓漏極電流IDSS25℃,VDS=600V,VGS=0V

1uA
125℃,VDS=600V,VGS=0V

50
150℃,VDS=600V,VGS=0V

100
柵極漏電流IGSSVGS=±30V,VDS=0V


±100nA
柵極開啟電壓VGS(th)VGS=VDS,ID=250μA2.5
3.0V
靜態漏源導通電阻RDS(ON)VGS=10V,ID=3.5A
11.4Ω
輸入電容CissVDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz

885
pF
輸出電容Coss
104
反向傳輸電容Crss
3.8
開啟延遲時間td(on)VDD=300V,ID=7.0A,RG=25Ω

27.33
ns
開啟上升時間tr
58.40
關斷延遲時間td(off)
42.13
開啟下降時間tf
31.20
柵源電荷密度QgsVDS=480V,ID=7.0A,VGS=10V

5.08
nC
柵漏電和密度Qgd
4.95




FIR7N60BPG-I的封裝外形尺寸:

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