400VNMOS管 12N40 TO-252 電源MOS管 貼片國產(chan) MOSFET
400VNMOS管 12N40的主要參數：
電壓 VDS：400V
電流 ID：12A
內(nei) 阻 RDS(ON)＜500mΩ@VGS=10V(Type：430mΩ)
400VNMOS管 12N40的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 400 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續 | 12 | A |
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 44 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 368 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 33.2 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 3.8 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
400VNMOS管 12N40的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 400 | 450 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=5.5A,TJ=25℃ | 0.460 | 0.575 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 9.6 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 755 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 132 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 9 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 11 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 25 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 28 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 26 |
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
