50N20 TO-263 200V國產(chan) MOS管 貼片中低壓MOS管 電源用場效應管
200V國產(chan) MOS管50N20的主要參數：
電壓 VDS=200V
電流 ID：50A
內(nei) 阻 RDS(ON)：55mΩ@VGS=10V(Type：48mΩ)
200V國產(chan) MOS管50N20的應用領域：
不間斷電源(UPS)
功率因數校正(PFC)
200V國產(chan) MOS管50N20的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 200 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 | 50 | A |
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 200 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 800 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 28 | A |
| PD | 總耗散功率 | 158 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 40 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 0.79 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
200V國產(chan) MOS管50N20的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 200 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=14A | 48 | 55 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 103 | 136 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 16 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 53 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2879 | 3742 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 362 | 470 | ||
| Crss | 反向傳輸電容 | 81 | 105 | ||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 28 | 69 | ns | |
| tr | 開啟上升時間 | 251 | 494 | ||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 309 | 617 | ||
| tf | 開啟下降時間 | 220 | 412 |
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