中低壓PMOS管 30P15 TO-252 貼片功率MOS 150V國產(chan) 場效應管
中低壓PMOS管 30P15的主要參數：
電壓 VDS=-150V
電流 ID=-30A
內(nei) 阻 RDS(ON)＜180mΩ@VGS=10V(Type：130mΩ)
中低壓PMOS管 30P15的應用領域：
無刷馬達
負載開關(guan)
UPS 不間斷電源
中低壓PMOS管 30P15的極限參數：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -150 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 TA=25℃ | -30 | A |
漏極電流-連續 TA=70℃ | -17.2 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | -90 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 250 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 20 | A |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 104 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 1.9 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
中低壓PMOS管 30P15的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -150 | -175 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-10A | 130 | 175 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -2 | -3 | -4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | 100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導 | 8 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 14.6 | 22 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 719 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 148 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 7 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 10 | 20 | ns | |
| tr | 開啟上升時間 | 6 | 12 | ||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 18 | 36 | ||
| tf | 開啟下降時間 | 6 | 12 |
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
