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大電流MOS管200N06 PDFN5X6-8L
大電流MOS管200N06 PDFN5X6-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:200N06
產品封裝:PDFN5X6-8L
產品標題:大電流MOS管200N06 PDFN5X6-8L貼片NMOSFET國產中低壓場效應管200N06
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


大電流MOS管200N06 PDFN5X6-8L貼片NMOSFET國產(chan) 中低壓場效應管200N06



大電流MOS管200N06的主要參數:

  • VDS=65V

  • ID=200A

  • RDS(ON)<1.3mΩ@VGS=10V(Type:1mΩ)



大電流MOS管200N06的應用:

  • 電池保護

  • UPS



大電流MOS管200N06的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓65V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)200A
漏極電流-連續(TC=100℃)158
IDM漏極電流-脈衝1340
EAS單脈衝雪崩能量580mJ
IAS雪崩電流47A
PD總耗散功率 TC=25℃231W
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150
RθJC結到管殼的熱阻0.65℃/W
RθJA結到環境的熱阻55



大電流MOS管200N06的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓6572
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID20A


11.3
VGS(th)
柵極開啟電壓22.94V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=60V,VGS=0V,TJ=25℃



1μA

零柵壓漏極電流

VDS=60V,VGS=0V,TJ=100℃



100
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
102
nC
Qgs柵源電荷密度
25
Qgd柵漏電荷密度
15.8
Ciss輸入電容
7312
pF
Coss輸出電容
2239
Crss反向傳輸電容
53
td(on)開啟延遲時間
24
ns
tr開啟上升時間
71
td(off)關斷延遲時間
129
tf
開啟下降時間
92


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