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電源用低壓NMOS管 30N03 SOT89-3
電源用低壓NMOS管 30N03 SOT89-3
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:30N03
產品封裝:SOT89-3
產品標題:電源用低壓NMOS管 30N03 SOT89-3 低內阻MOSFET MOS管型號大全
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


電源用低壓NMOS管 30N03 SOT89-3 低內(nei) 阻MOSFET MOS管型號大全



電源用低壓NMOS管 30N03的主要參數:

  • VDS=30V

  • ID=30A

  • RDS(ON)<12mΩ@VGS=10V(Type:8.5mΩ)



電源用低壓NMOS管 30N03的主要應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源



電源用低壓NMOS管 30N03的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:30V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID (TC=25℃):30A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:90A

  • 總耗散功率 PD (TC=25℃):37.5W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:125℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:4℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~175℃

  • 工作結溫 TJ:-55~175℃



電源用低壓NMOS管 30N03的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓3033
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=30A


8.512
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=15A


1418
VGS柵極開啟電壓1.21.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
9.8
nC
Qgs柵源電荷密度

4.2


Qgd柵漏電荷密度
3.6
Ciss輸入電容
940
pF
Coss輸出電容
131
Crss反向傳輸電容
109
td(on)開啟延遲時間
4
ns
tr開啟上升時間

8


td(off)關斷延遲時間
31
tf
開啟下降時間
4


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