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-60VP+P溝道MOSFET管6V06 SOP-8
-60VP+P溝道MOSFET管6V06 SOP-8
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:6V06
產品封裝:SOP-8
產品標題:-60VP+P溝道MOSFET管6V06 SOP-8 貼片低壓MOS 常用雙PMOS管6V06
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


-60VP+P溝道MOSFET管6V06 SOP-8 貼片低壓MOS 常用雙PMOS管6V06



-60VP+P溝道MOSFET管6V06的應用領域:

  • 無刷馬達

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源



-60VP+P溝道MOSFET管6V06的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓-60V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)-6A
漏極電流-連續(TC=100℃)-4.3
IDM漏極電流-脈衝-26
EAS單脈衝雪崩能量29.8mJ
IAS雪崩電流-24.4A
PD總耗散功率(TC=25℃)31.3W
RθJA
結到環境的熱阻85℃/W
RθJC結到管殼的熱阻40
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



-60VP+P溝道MOSFET管6V06的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-60-66
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-3A


6585
靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-2A


80100
VGS(th)
柵極開啟電壓-1.2-1.75-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
12.1
nC
Qgs柵源電荷密度

2.2


Qgd柵漏電荷密度
6.3
Ciss輸入電容
1137
pF
Coss輸出電容
76
Crss反向傳輸電容
50
td(on)開啟延遲時間
9.2
ns
tr開啟上升時間

20.1


td(off)關斷延遲時間
46.7
tf
開啟下降時間
9.4

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