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4959A SOP-8 貼片P+P溝道MOS管
4959A SOP-8 貼片P+P溝道MOS管
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:4959A
產品封裝:SOP-8
產品標題:4959A SOP-8 貼片P+P溝道MOS管 中低壓場效應管 國產常用MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


4959A SOP-8 貼片P+P溝道MOS管 中低壓場效應管 國產(chan) 常用MOS



貼片P+P溝道MOS管 4959A的主要參數:

  • VDS=-30V

  • ID=-18A

  • RDS(ON)<18mΩ@VGS=-10V(Type:12.5mΩ)



貼片P+P溝道MOS管 4959A的應用:

  • 鋰電池保護板

  • 手機快充



貼片P+P溝道MOS管 4959A的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓-30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TA=25℃)-18A
漏極電流-連續(TA=70℃)-11
IDM漏極電流-脈衝-48
EAS單脈衝雪崩能量168mJ
PD總耗散功率(TA=25℃)310W
RθJA
結到環境的熱阻85℃/W
RθJC結到管殼的熱阻4.5
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150



貼片P+P溝道MOS管 4959A的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-30-32.5
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-10A


1218
靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-5A


1825
VGS(th)
柵極開啟電壓-1.2-1.5-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
22
nC
Qgs柵源電荷密度

4


Qgd柵漏電荷密度
5.8
Ciss輸入電容
2130
pF
Coss輸出電容
280
Crss反向傳輸電容
252
td(on)開啟延遲時間
9
ns
tr開啟上升時間

13


td(off)關斷延遲時間
48
tf
開啟下降時間
20


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