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低壓P+PMOS管 40V03 PDFN5X6-8L
低壓P+PMOS管 40V03 PDFN5X6-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:40V03
產品封裝:PDFN5X6-8L
產品標題:低壓P+PMOS管 40V03 PDFN5X6-8L 手機快充用MOSFET MOS管型號大全
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


低壓P+PMOS管 40V03 PDFN5X6-8L 手機快充用MOSFET MOS管型號大全



低壓P+PMOS管 40V03的引腳圖:

image.png



低壓P+PMOS管 40V03的應用領域:

  • 鋰電池保護板

  • 手機快充



低壓P+PMOS管 40V03的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-30V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID (TA=25℃):-40A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:-120A

  • 單脈衝(chong) 雪崩能量 EAS:68mJ

  • 雪崩電流 IAS:-29.4A

  • 總耗散功率 PD (TA=25℃):3.1W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:25℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:2.4℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



低壓P+PMOS管 40V03的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-30-32.5
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-10A


11.516
靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-5A


1620
VGS(th)
柵極開啟電壓-1.2-1.5-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
22
nC
Qgs柵源電荷密度

4


Qgd柵漏電荷密度
5.8
Ciss輸入電容
2130
pF
Coss輸出電容
280
Crss反向傳輸電容
252
td(on)開啟延遲時間
9
ns
tr開啟上升時間

13


td(off)關斷延遲時間
48
tf
開啟下降時間
20


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