低壓P+P溝道MOS管 30V02 PDFN3X3-8L 小內(nei) 阻雙PMOS 手機快充MOSFET

低壓P+P溝道MOS管 30V02的應用領域：

• 鋰電池保護板

• 手機快充
  

低壓P+P溝道MOS管 30V02的引腳圖：

低壓P+P溝道MOS管 30V02的極限值：

(如無特殊說明，T_A=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：-20V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±12V

• 漏極電流-連續 I_D (T_A=25℃)：-30A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：-90A

• 總耗散功率 P_D (T_A=25℃)：1.5W

• 結到環境的熱阻 R_θJA：85℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：12℃/W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結溫 T_J：-55~150℃

低壓P+P溝道MOS管 30V02的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)