電源用PMOSFET 12P05 TO-252 -55V國產(chan) 常用MOS MOS場效應管替換
電源用PMOSFET 12P05的引腳圖：
電源用PMOSFET 12P05的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -55 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(TA=25℃) | -12 | A |
| 漏極電流-連續(TA=70℃) | -8.4 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | -36 | |
| PD | 總耗散功率(TA=25℃) | 12 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 80 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
電源用PMOSFET 12P05的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -55 | -58 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-5A | 95 | 120 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-3A | 115 | 160 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.65 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 4.6 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.62 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 531 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 59 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 38 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 17.4 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 5.4 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 37.2 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 2.4 |
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