國產(chan) 低壓PMOS管 30P04 PDFN3X3-8L 應用於(yu) 電源MOS管 MOSFET選型
國產(chan) 低壓PMOS管 30P04的主要參數：
VDS=-40V
ID=-30A
RDS(ON)＜28mΩ@VGS=-10V(Type：20mΩ)
國產(chan) 低壓PMOS管 30P04的應用領域：
電池保護
負載開關(guan)
UPS 不間斷電源
國產(chan) 低壓PMOS管 30P04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(TC=25℃) | -30 | A |
| 漏極電流-連續(TC=100℃) | -21 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | -90 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 109 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | -30 | A |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 35 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 3.6 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
國產(chan) 低壓PMOS管 30P04的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -40 | -45 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-8A | 20 | 28 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-4A | 25 | 32 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 11.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.3 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1415 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 134 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 102 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 22 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 15.7 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 59 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 5.5 |
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