低內(nei) 阻PMOS管 120P03 PDFN5X6-8L 貼片MOSFET替換 充電器用MOS管
低內(nei) 阻PMOS管 120P03的主要參數：
VDS=-30V
ID=-120A
RDS(ON)＜5mΩ@VGS=-10V(Type：3.8mΩ)
低內(nei) 阻PMOS管 120P03的應用領域：
鋰電池保護
手機快充
低內(nei) 阻PMOS管 120P03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 TC=25℃ | -120 | A |
| 漏極電流-連續 TC=100℃ | -65 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | -360 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 225 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | -60 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 103 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 1.46 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
低內(nei) 阻PMOS管 120P03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -33 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-30A | 3.8 | 5 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=20A | 5.8 | 8.2 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 42 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 8.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 11.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 9400 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 1000 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 767 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 15 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 16 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 69 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 27 |
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