快充用低壓PMOS管40P03 SOP-8 低內(nei) 阻PMOSFET 貼片MOS管選型

快充用低壓PMOS管40P03的主要參數：

• V_DS=-30V

• I_D=-40A

• R_DS(ON)＜4mΩ@V_GS=-10V(Type：3.2mΩ)

快充用低壓PMOS管40P03的繼續參數：

(如無特殊說明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：-30V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續 I_D：-40A

• 漏極電流-脈衝(chong) I_DM：-160A

• 單脈衝(chong) 雪崩能量 E_AS：576mJ

• 總耗散功率 P_D：150W

• 存儲(chu) 溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作結溫 T_J：-55~150℃

• 結到環境的熱阻 R_θJA：85℃/W

• 結到管殼的熱阻 R_θJC：1.06℃/W

快充用低壓PMOS管40P03的電特性：

(如無特殊說明，T_J=25℃)