低壓P溝道MOS管30P03 SOP-8 貼片MOSFET 國產(chan) 低內(nei) 阻MOS場效應管
低壓P溝道MOS管30P03的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 TC=25℃ | -30 | A |
| 漏極電流-連續 TC=100℃ | -26.8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | -80 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 250 | mJ |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 69 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 1.6 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 |
低壓P溝道MOS管30P03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -30 | -33 | V | |
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-30A | 4.9 | 6.4 | mΩ | |
靜態漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 7.5 | 10.5 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 30 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 6800 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 769 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 726 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 11 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 13 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 52 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 21 |
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
