hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 貼片低壓PMOS管60P02 TO-252

產品分類

Product Categories
貼片低壓PMOS管60P02 TO-252
貼片低壓PMOS管60P02 TO-252
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:60P02
產品封裝:TO-252
產品標題:貼片低壓PMOS管60P02 TO-252 MOS管選型 60V/20A 常用MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


貼片低壓PMOS管60P02 TO-252 MOS管選型 60V/20A 常用MOSFET



貼片低壓PMOS管60P02的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源(UPS)



貼片低壓PMOS管60P02的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-20V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±12V

  • 漏極電流-連續 ID:-60A

  • 漏極電流-脈衝(chong) IDM:-200A

  • 總耗散功率 PD:60W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:75℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:3.6℃/W

  • 存儲(chu) 溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



貼片低壓PMOS管60P02的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-20-22
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-10A


812
靜態漏源導通電阻

VGS=-2.5V,ID=-5A


1116
VGS(th)
柵極開啟電壓-0.4-0.65-1V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
63
nC
Qgs柵源電荷密度

9.1


Qgd柵漏電荷密度
13
Ciss輸入電容
1600
pF
Coss輸出電容
350
Crss反向傳輸電容
300
td(on)開啟延遲時間
10
ns
tr開啟上升時間

15


td(off)關斷延遲時間
110
tf
開啟下降時間
70


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: