貼片N+P溝道MOS管15G10 TO-252-4 低內(nei) 阻MOSFET替換 低壓N+PMOS
貼片N+P溝道MOS管15G10的主要參數：
1、N-CH：
VDS=100V
ID=17.8A
RDS(ON)＜120mΩ@VGS=10V(Type：85mΩ)
2、P-CH：
VDS=-100V
ID=-12.8A
RDS(ON)＜290mΩ@VGS=-10V(Type：235mΩ)
貼片N+P溝道MOS管15G10的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | -100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 (TC=25℃) | 17.8 | -12.8 | A |
| 漏極電流-連續 (TC=100℃) | 8.9 | -7.5 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 52.5 | -38.4 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 28 | 18 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 7 | -6 | A |
| PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 23 | 21.3 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62.5 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 5.4 | 5.4 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | -55~150 | |
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