無線充電用N+PMOS管6G04 SOT23-6 低壓N+PMOSFET 國產(chan) 常用貼片MOS管
無線充電用N+PMOS管6G04的主要參數：
1、N-CH：
VDS=40V
ID=6.3A
RDS(ON)＜37mΩ@VGS=10V(Type：30mΩ)
2、P-CH：
VDS=-40V
ID=-6.1A
RDS(ON)＜75mΩ@VGS=-10V(Type：60mΩ)
無線充電用N+PMOS管6G04的應用領域：
無線充電
無數馬達
無線充電用N+PMOS管6G04的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 (TA=25℃) | 6.1 | -6 | A |
| 漏極電流-連續 (TA=100℃) | 4.9 | -4.8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 23 | -22 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 16.2 | 39 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 18 | 28 | A |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 1.67 | 1.67 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 75 | 75 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 30 | 30 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | -55~150 | |
無線充電用N+PMOS管6G04的封裝外形尺寸圖：
網站首頁可控矽集成電路MOS管產(chan) 品中心生產(chan) 實力技術支持新聞資訊關(guan) 於(yu) 宇芯聯係我們(men)
掃二維碼進入手機網站 
掃二維碼進入微信 
