低內(nei) 阻N+P溝道MOS管30G03 TO-252-4 貼片N+PMOS 場效應MOS管大全
低內(nei) 阻N+P溝道MOS管30G03的產(chan) 品特點：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=38A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=10V(Type：8mΩ)
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-35A
RDS(ON)＜20mΩ@VGS=-10V(Type：16mΩ)
低內(nei) 阻N+P溝道MOS管30G03的引腳圖：
低內(nei) 阻N+P溝道MOS管30G03的最大額定值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 (TA=25℃) | 38 | -35 | A |
| 漏極電流-連續 (TA=70℃) | 21 | -18.1 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 90 | -85 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 22 | 22 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 28 | 23 | A |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 46 | 46 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 62.5 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 6 | 6 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | -55~150 | |
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