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電源用低壓N+NMOS管40H06 PDFN3X3-8L
電源用低壓N+NMOS管40H06 PDFN3X3-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:40H06
產品封裝:PDFN3X3-8L
產品標題:電源用低壓N+NMOS管40H06 PDFN3X3-8L 60V/40A MOSFET選型 國產替換MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


電源用低壓N+NMOS管40H06 PDFN3X3-8L 60V/40A MOSFET選型 國產(chan) 替換MOS



電源用低壓N+NMOS管40H06的主要參數:

  • VDS=60V

  • ID=40A

  • RDS(ON)<32mΩ@VGS=10V(Type:20mΩ)



電源用低壓N+NMOS管40H06的應用領域:

  • 電池保護

  • 不間斷電源 UPS



電源用低壓N+NMOS管40H06的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓60V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續 TC=25℃40A
漏極電流-連續 TC=100℃18
IDM漏極電流-脈衝114
EAS單脈衝雪崩能量25.5mJ
IAS雪崩電流22A
PD總耗散功率 TC=25℃34.7W
RθJA結到環境的熱阻85℃/W
RθJC結到管殼的熱阻3.6
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



電源用低壓N+NMOS管40H06的極限值:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓6065
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=15A


2032
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=10A


3038
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
12.6
nC
Qgs柵源電荷密度

3.2


Qgd柵漏電荷密度
6.3
Ciss輸入電容
1378
pF
Coss輸出電容
86
Crss反向傳輸電容
64
td(on)開啟延遲時間
8
ns
tr開啟上升時間

14.2


td(off)關斷延遲時間
24.4

tf
開啟下降時間
4.6


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