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低壓雙NMOS管35H04 PDFN5X6-8L
低壓雙NMOS管35H04 PDFN5X6-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:35H04
產品封裝:PDFN5X6-8L
產品標題:低壓雙NMOS管35H04 PDFN5X6-8L 國產MOSFET 40V/35A 貼片MOS管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


低壓雙NMOS管35H04 PDFN5X6-8L 國產(chan) MOSFET 40V/35A 貼片MOS管



低壓雙NMOS管35H04的應用領域:

  • 電池保護

  • 不間斷電源 UPS



低壓雙NMOS管35H04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓40V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續 TC=25℃35A
漏極電流-連續 TC=100℃23
IDM漏極電流-脈衝100
EAS單脈衝雪崩能量81mJ
IAS雪崩電流16A
PD總耗散功率 TC=25℃33.7W
RθJA結到環境的熱阻25℃/W
RθJC結到管殼的熱阻2.1
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



低壓雙NMOS管35H04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓40

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=30A


8.510
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=15A


1016
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
37
nC
Qgs柵源電荷密度

6


Qgd柵漏電荷密度
7
Ciss輸入電容
2400
pF
Coss輸出電容
192
Crss反向傳輸電容
165
td(on)開啟延遲時間
12
ns
tr開啟上升時間

12


td(off)關斷延遲時間
38

tf
開啟下降時間
9


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