
低壓雙NMOS管35H04 PDFN5X6-8L 國產(chan) MOSFET 40V/35A 貼片MOS管
低壓雙NMOS管35H04的應用領域:
電池保護
不間斷電源 UPS
低壓雙NMOS管35H04的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續 TC=25℃ | 35 | A |
| 漏極電流-連續 TC=100℃ | 23 | ||
| IDM | 漏極電流-脈衝 | 100 | |
| EAS | 單脈衝雪崩能量 | 81 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 16 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 33.7 | W |
| RθJA | 結到環境的熱阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 2.1 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~+150 |
低壓雙NMOS管35H04的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 40 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=30A | 8.5 | 10 | mΩ | |
| 靜態漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=15A | 10 | 16 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 37 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 7 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2400 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 192 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 165 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 12 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 12 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 38 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 9 |