hth体育官网登录可控矽一站式解決方案提供商專注华体会竞猜app,华体会体育沃尔夫斯堡,hth棋牌软件,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » 無線充電用40V低壓MOS管 6H04 SOT23-6L

產品分類

Product Categories
無線充電用40V低壓MOS管 6H04 SOT23-6L
無線充電用40V低壓MOS管 6H04 SOT23-6L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:6H04
產品封裝:SOT23-6L
產品標題:無線充電用40V低壓MOS管 6H04 SOT23-6L 低內阻MOS 常用小封裝場效應管
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


無線充電用40V低壓MOS管 6H04 SOT23-6L 低內(nei) 阻MOS 常用小封裝場效應管



無線充電用40V低壓MOS管 6H04的主要參數:

  • VDS=40V

  • ID=6.3A

  • RDS(ON)<38mΩ@VGS=10V(Type:28mΩ)



無線充電用40V低壓MOS管 6H04的應用領域:

  • 無線充電

  • 無刷電機



無線充電用40V低壓MOS管 6H04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓40V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續 TA=25℃6.3A
漏極電流-連續 TA=70℃4.2
IDM漏極電流-脈衝30
EAS單脈衝雪崩能量31mJ
PD總耗散功率 TA=25℃1.9W
RθJA結到環境的熱阻125℃/W
RθJC結到管殼的熱阻60
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



無線充電用40V低壓MOS管 6H04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓40

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=4A


2838
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=3A


4050
VGS(th)
柵極開啟電壓11.52.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
5
nC
Qgs柵源電荷密度

1.54


Qgd柵漏電荷密度
1.84
Ciss輸入電容
452
pF
Coss輸出電容
51
Crss反向傳輸電容
38
td(on)開啟延遲時間
7.8
ns
tr開啟上升時間

2.1


td(off)關斷延遲時間
29

tf
開啟下降時間
2.1


產品推薦

Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持: