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12V低壓N+N溝道MOS管8804 PDFN3X3-8L
12V低壓N+N溝道MOS管8804 PDFN3X3-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:8804
產品封裝:PDFN3X3-8L
產品標題:12V低壓N+N溝道MOS管8804 PDFN3X3-8L 電池保護用MOS管 MOSFET替換
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


12V低壓N+N溝道MOS管8804 PDFN3X3-8L 電池保護用MOS管 MOSFET替換



12V低壓N+N溝道MOS管8804的主要參數:

  • VDS=12V

  • ID=40A

  • RDS(ON)<4.3mΩ@VGS=4.5V

  • RDS(ON)<5.6mΩ@VGS=2.5V



12V低壓N+N溝道MOS管8804的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關(guan)

  • 不間斷電源



12V低壓N+N溝道MOS管8804的極限值:

(如無特殊說明,TA=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓12
V
VGS柵極-源極電壓±8
ID漏極電流-連續 TC=25℃40A
漏極電流-連續 TC=100℃35.6
IDM漏極電流-脈衝100
PD總耗散功率 TC=25℃31W
總耗散功率 TA=25℃3.6
RθJA結到環境的熱阻35℃/W
RθJC結到管殼的熱阻4
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



12V低壓N+N溝道MOS管8804的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓121821V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=3A

2.33.34.3
靜態漏源導通電阻

VGS=4V,ID=3A

2.43.44.4
靜態漏源導通電阻

VGS=3.1V,ID=3A

2.63.64.7
靜態漏源導通電阻

VGS=2.5V,ID=3A

345.6
靜態漏源導通電阻

VGS=1.8V,ID=3A

4
5.47.6
VGS(th)
柵極開啟電壓0.40.61V
IGSS柵極漏電流

±10uA
Qg柵極電荷(4.5V)
38
nC
柵極電荷(3.9V)
33
Qgs柵源電荷密度

4.5


Qgd柵漏電荷密度
12
Ciss輸入電容
3165
pF
Coss輸出電容
380
Crss反向傳輸電容
325
td(on)開啟延遲時間
22
ns
tr開啟上升時間

41


td(off)關斷延遲時間
77

tf
開啟下降時間
21


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