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高壓N溝道MOS管2N100 SOT223-3L
高壓N溝道MOS管2N100 SOT223-3L
產品品牌:宇芯微
產品類型:高壓MOS管
產品型號:2N100
產品封裝:SOT223-3L
產品標題:1000V/1.7A 高壓N溝道MOS管2N100 SOT223-3L 貼片小封裝MOS管 通用MOS
谘詢熱線:0769-89027776

產品詳情


1000V/1.7A 高壓N溝道MOS管2N100 SOT223-3L 貼片小封裝MOS管 通用MOS



高壓N溝道MOS管2N100的主要參數:

  • VDS=1000V

  • ID=1.7A

  • RDS(ON)<9600mΩ@VGS=10V(Type:8000mΩ)



高壓N溝道MOS管2N100的應用領域:

  • 不間斷電源 UPS

  • 功率因數校正 PFC



高壓N溝道MOS管2N100的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓1000
V
VGS柵極-源極電壓±30
ID漏極電流-連續 TC=25℃1.7A
漏極電流-連續 TC=100℃0.8
IDM漏極電流-脈衝6
EAS單脈衝雪崩能量90mJ
IAR雪崩電流3A
EAR重複雪崩能量0.36mJ
PD總耗散功率36W
RθJA結到環境的熱阻100℃/W
RθJC結到管殼的熱阻3.47
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



高壓N溝道MOS管2N100的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓10001100
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=4.5A


80009600
VGS(th)
柵極開啟電壓23.54V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
16
nC
Qgs柵源電荷密度

1.2


Qgd柵漏電荷密度
11.5
Ciss輸入電容
308
pF
Coss輸出電容
32
Crss反向傳輸電容
6.2
td(on)開啟延遲時間
35
ns
tr開啟上升時間

12


td(off)關斷延遲時間
85

tf
開啟下降時間
53


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